1、工程名称：国家存储器基地项目（一期）3号厂房EPC。

2、建设地点：武汉市东湖新技术开发区未来三路和三湖街交口。

3、工程规模：厂区总用地面积1717亩，规划总建筑面积约235万平方米，分三期工程进行建设，总体规划有3座（FAB1、FAB2、FAB3）12英寸3D NAND存储器芯片生产厂房。本期规划用地约330亩，占地面积约22万平方米，拟建总计容建筑面积约60万平方米。